电容器种类及电气特性
电容器种类:
依照主要材质特性分为电解质电容,
电解质芯片电容, 塑料薄膜电容,
陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.
1. 电解质电容器种类: 依照细部材质,
形状, 及功能特性可再区分为标准型
(>11mm高度), 迷你型
(7mm高度), 超迷你型
(5mm高度), 耐高温型
(105℃), 低漏电型,
迷你低漏电型 (7mm高度),
双极性型, 无极性型,
及低内阻型 (Low ESR)等.
2. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质,
形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片,
耐高温型芯片 (105℃),
无极性型芯片, 及钽质芯片等.
3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质,
形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜,
金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜,
聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜,
及交流用金属化聚丙烯薄膜等.
4. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质,
形状, 及功能特性可再区分为Class-1
(T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K
Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型
等.
5. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402,
0603, 0805, 1206等较具普遍性.
电容器主要电气规格:
1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF,
测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF,
测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C
type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz.
Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF,
测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.
2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M
即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J即
+/-5%或K即
+/-10%, 或M即
+/-20%三种, 陶瓷电容器T/C
type为C即
+/-0.25pF (10pF以下时), 或D即
+/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种.
Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即
+80/-20%三种.
3. 损失角即D值:
一般电解电容器因为内阻较大故D值较高,
其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下.
塑料薄膜电容器则D值较低,
视其材质决定为0.001-0.01以下.
陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K
type 及S/C type为0.025以下.
T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.
(Q值相当于D值的倒数)
4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值,
一般仅适用于陶瓷电容器. T/C
type其常用代号为CH或NPO
即为 +/-60ppm, UJ即为
-750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm.
Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B
(5P)即为 +/-10%, E (5U)即为
+20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.
5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格,
一般以电容器本身额定电压加压3
Min后, 串接电流表测试,
其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积)
或3uA以下
(取其较大数值). 特定低漏电流量使用
(Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.
6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压,
需工作正常无异状.
7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为
-25℃至+85℃,
特定高温用或低漏电流量用者为
-40℃至+105℃.
塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃.
陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃,
Hi-K type 及S/C type为
-25℃至+85℃.